Спектральнi характеристики вихідних i опромінених електронами «жовтих» світлодіодів GaAsP

Дослiджувались свiтлодiоди (СД) GaAs1−xPx, вирощенi на основi розчину непрямозонного GaP та прямозонного GaAs, додатково легованим азотом. Показано, що контури спектральних лiнiй при T = 77K добре узгоджуються з класичними розподiлами Гауса i Лоренца. Виявлено ефект самопоглинання квантiв, який проявляється зменшенням iнтенсивностi випромiнювання низькоенергетичної половини спектральної лiнiї СД GaAsP вiдносно її високоенергетичної частини. Змiна напiвширини спектру «жовтих» СД при нагрiваннi зразка вiд 300K до 77K (Γ77К = 8 нм, Γ300К = 14 нм) — наслiдок
збiльшення концентрацiї фононного газу. Зростання струму через дiод вiд 5мА до 60мА супроводжується зсувом максимуму свiчення у бiк довгих хвиль на Δλ = 4 нм при 300 К, зумовленим тепловою дiєю струму; величина зсуву при 77K становить Δλ = 2 нм.

GaAs1−xPx light-emitting diodes (LEDs) grown on the basis of a solution of indirect-gap GaP and direct-gap GaAs, additionally doped with nitrogen, were studied. It was shown that the contours of the spectral lines at T = 77K agree well with the classical Gaussian and Lorentzian distributions.
The effect of self-absorption of quanta was revealed, which is manifested by a decrease in the radiation intensity of the low-energy half of the spectral line of GaAsP LEDs relative to its high-energy part. The change in the half-width of the spectrum of “yellow” LEDs when the sample is heated from 300K to 77K (Γ77K = 8 nm, Γ7300K = 14 nm) is a consequence of an increase in the phonon gas concentration. The increase in current through the diode from 5mA to 60mA is accompanied by a shift of the luminescence maximum towards long wavelengths by Δλ = 4nm at 300 K, caused by the thermal effect of the current; the magnitude of the shift at 77K is Δλ = 2 nm.