Властивості вихідних та опромінених фосфідо-галієвих світлодіодів

Abstract

Досліджено спектральні особливості вихідних та опромінених електронами з енергією Е = 2 МеВ світлодіодів (СД) GaP. Виявлено лінії рекомбінації екситона, зв’язаного на ізоелектронному центрі N та на парних комплексах NN1. Проаналізовано зміну спектрального складу випромінювання при проходженні ділянки від’ємного диференціального опору. Одержано дозові залежності інтенсивності свічення для зелених GaP(N) та червоних GaP(Zn-O) СД. Встановлено максимально-критичну дозу опромінення, після якої СД втрачає властивий йому екситонний механізм випромінювання. Наведено результати відпалу опроміненого СД.Spectral features of the original and irradiated with electrons with E = 2 MeV GaP light emitting diodes (LEDs) were studied. Recombination lines of the exciton bound on the N isoelectronic center and on the pair complexes NN1 were detected. The change in the spectral composition of radiation when passing through a section of negative differential resistance is analyzed. Dose dependences of luminescence intensity were obtained for green GaP(N) and red GaP(Zn-O) LEDs. The maximum critical radiation dose was established, after which the LEDs lost their characteristic exciton emission mechanism. The results of the annealing of irradiated LEDs are given.