Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния

Abstract

Общей целью реферируемой работы и явилось путем комплексного исследования ряда взаимосвязанных электрических и оптических свойств р-п переходов изучить основы механизма неравновесных процессов -в ^-модификации карбида кремния, а также выяснить технические возможности З-БЮ как материала для новых полупроводниковых приборов (выпрямители, терморезисторы, фотоэлементы, фотодиоды и импульсные источники света). Диссертация отражает одно из направлений в цикле исследования свойств и применения карбида кремния в полупроводниковой технике, проводимых в проблемной лаборатории полупроводников Киевского ордена Ленина политехнического института.