Вплив опромінення електронами з Е = 2 МеВ на електрофізичні та оптичні характеристики зелених InGaN/GaN світлодіодів

Досліджувались світлодіоди (СД) із квантовими ямами, виготовлені на основі твердого розчину In0.21Ga0.79 N. Проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та електролюмінесценції (ЕЛ) у межах 77 ÷ 300 K. На ВАХ в інтервалі 77 ÷ 150 K виявлено ділянки від’ємного диференціального опору, а також тонку структуру спектрів випромінювання. Наведено результати впливу опромінення електронами (Ее = 2 МеВ) на інтенсивність ЕЛ та квантовий вихід досліджуваних зразків; виявлено особливості температурних залежностей інтенсивності свічення опромінених СД.

We studied light-emitting diodes (LEDs) with quantum dots маde on basis of a solid solution of In0.21Ga0.79N. Measurements of current-voltage characteristics and electroluminescence characteristics were carried out in the range of 77 ÷ 300 K. On the current-voltage characteristics in the range of 77 ÷ 150 K, areas of negative differential resistance, as well as a fine structure of radiation spectra, were detected. The results of the influence of electron irradiation (Ee = 2 MeV) on electroluminescence characteristics intensity and quantum yield of the studied samples are presented; the features of the temperature dependence of the glow intensity of irradiated LEDs were revealed.